收藏本站
NTLJS3113P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
2800
2400
C iss
V DS = V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
QT
20
16
2000
1600
3
V DS
V GS
12
1200
800
C rss
2 Q GS
Q GD
8
400
0
5
V GS
0
C oss
5
V DS
10
15
20
1
0
0
I D = ? 3.0 A
T J = 25 ° C
4 8 12
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = ? 15 V
I D = ? 3.0 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
3
2.5
2
V GS = 0 V
t r
1.5
t d(on)
10
1
0.5
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
See Note 2, Page 1
SINGLE PULSE
10
1
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
100 m s
1 ms
10 ms
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTLJS3180PZTBG MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
NTLJS4114NT1G MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
NTLJS4149PTBG MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN
NTLJS4159NT1G MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN
NTLTD7900ZR2G MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO
NTLUD3191PZTAG MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN
NTLUD3A260PZTBG POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6
NTLUF4189NZTAG MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
相关代理商/技术参数
NTLJS3180PZ 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
NTLJS3180PZTAG 功能描述:MOSFET 20V UCOOL SNGL P-CH 7.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLJS3180PZTBG 功能描述:MOSFET 20V UCOOL SNGL P-CH 7.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLJS3A18PZTWG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET WDFN6 20V 8.4A 18MOH - Tape and Reel
NTLJS3A18PZTXG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET WDFN6 20V 8.4A 18MOH - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET 2X2WDFN6 20V 18MOHM - Cut TR (SOS) 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PFET 2X2WDFN6 20V 18MOHM
NTLJS4114N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 7.8 A, uCool Single N−Channel, 2x2 mm WDFN Package
NTLJS4114NT1G 功能描述:MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLJS4149P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET